Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej, okazuje się niezwykle istotne dla osób zajmujących się zawodowo informatyką oraz niektórymi dziedzinami techniki, zwłaszcza półprzewodnikami, projektowaniem układów scalonych, systemami mikroelektromechanicznymi, optyką, nanotechnologią i materiałoznawstwem.

Książka ta jest kierowana przede wszystkim do studentów studiów technicznych, ale mogą z niej korzystać również studenci studiów doktoranckich, a także inżynierowie i naukowcy. Będzie szczególnie doceniona przez praktyków zajmujących się projektowaniem i funkcjonowaniem nowoczesnych urządzeń elektronicznych. Książka zawiera przydatne informacje dotyczące tranzystorów i ich zastosowania w projektowaniu obwodów. Przedstawiono tu dogłębną analizę zagadnień związanych z podstawowymi komponentami układów elektronicznych. Przybliżono zasady działania takich urządzeń, jak ogniwa fotowoltaiczne, diody LED, diody laserowe itp.

W książce tej przedstawiono:

• wyczerpujące wprowadzenie do zagadnień związanych z półprzewodnikami z uwzględnieniem rekombinacji elektronów i dziur elektronowych;
• technologię produkcji komponentów półprzewodnikowych;
• złącza p-n i złącza metal-półprzewodnik;
• informacje o tranzystorach MOS, w tym o matrycach CCD i CMOS;
• tranzystory MOFSET, pamięci SRAM i DRAM oraz pamięć nieulotną flash;
• tranzystory bipolarne.

Rozdziały:

Przedmowa (11)

O autorze (13)

1. Półprzewodniki: elektrony i dziury w półprzewodnikach (15)

• 1.1. Krystaliczna struktura krzemu (16)
• 1.2. Model wiązań elektronów i dziur (18)
• 1.3. Energetyczny model pasmowy (22)
• 1.4. Półprzewodniki, izolatory i przewodniki (27)
• 1.5. Elektrony i dziury (29)
• 1.6. Gęstość stanów (32)
• 1.7. Równowaga cieplna i funkcja Fermiego (33)
• 1.8. Koncentracje elektronów i dziur (37)
• 1.9. Ogólne zagadnienia dotyczące parametrów n i p (43)
• 1.10. Koncentracje nośników w bardzo niskich i bardzo wysokich temperaturach (47)
• 1.11. Podsumowanie rozdziału (47)
• Zadania (49)
• Bibliografia (54)
• Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (55)

2. Ruch i rekombinacja elektronów i dziur (57)

• 2.1. Ruch cieplny (57)
• 2.2. Dryft (60)
• 2.3. Prąd dyfuzyjny (69)
• 2.4. Zależność pomiędzy wykresem poziomów energetycznych a napięciem i polem elektrycznym (71)
• 2.5. Zależność Einsteina pomiędzy D i ( (71)
• 2.6. Rekombinacja elektron-dziura (74)
• 2.7. Generacja termiczna (77)
• 2.8. Quasi-równowaga i poziomy quasi-Fermiego (77)
• 2.9. Podsumowanie rozdziału (79)
• Zadania (81)
• Bibliografia (84)
• Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (84)

3. Technologia produkcji komponentów półprzewodnikowych (85)

• 3.1. Wstęp do produkcji komponentów (86)
• 3.2. Utlenianie krzemu (88)
• 3.3. Litografia (89)
• 3.4. Transfer wzorów - trawienie (96)
• 3.5. Domieszkowanie półprzewodnika (99)
• 3.6. Dyfuzja domieszek (101)
• 3.7. Osadzanie cienkich warstw (105)
• 3.8. Proces tworzenia złączy pomiędzy komponentami (110)
• 3.9. Testowanie, montaż i kwalifikacja (113)
• 3.10. Podsumowanie rozdziału - przykładowy proces produkcji komponentu (114)
• Zadania (116)
• Bibliografia (120)
• Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (121)

4. Złącze p-n i złącze metal-półprzewodnik (123)

Część I. Złącze p-n (123)

• 4.1. Zagadnienia teoretyczne związane ze złączem p-n (124)
• 4.2. Model warstwy zubożonej (128)
• 4.3. Złącze p-n i polaryzacja zaporowa (133)
• 4.4. Charakterystyki pojemnościowo-napięciowe (134)
• 4.5. Przebicie złącza p-n (136)
• 4.6. Iniekcja nośników w polaryzacji przewodzenia i warunkach quasi-równowagi brzegowej (141)
• 4.7. Równanie ciągłości prądu (144)
• 4.8. Nośniki nadmiarowe w złączu p-n w polaryzacji przewodzenia (146)
• 4.9. Charakterystyki prądowo-napięciowe diody półprzewodnikowej (150)
• 4.10. Magazynowanie ładunku (154)
• 4.11. Małosygnałowy model diody (155)

Część II. Zastosowanie w komponentach optoelektronicznych (156)

• 4.12. Ogniwa fotowoltaiczne (156)
• 4.13. Diody elektroluminescencyjne i oświetlenie półprzewodnikowe (164)
• 4.14. Diody laserowe (170)
• 4.15. Fotodiody (175)

Część III. Złącze metal-półprzewodnik (176)

• 4.16. Bariera Schottky'ego (176)
• 4.17. Teoria emisji termoelektronowej (181)
• 4.18. Diody Schottky'ego (182)
• 4.19. Zastosowanie diod Schottky'ego (184)
• 4.20. Tunelowanie kwantowo-mechaniczne (186)
• 4.21. Kontakt omowy (186)
• 4.22. Podsumowanie rozdziału (190)
• Zadania (194)
• Bibliografia (204)
• Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (205)

5. Kondensator MOS (207)

• 5.1. Warunek i napięcie pasma płaskiego (208)
• 5.2. Akumulacja powierzchniowa (210)
• 5.3. Zubożenie powierzchni (212)
• 5.4. Warunek progowy i napięcie progowe (213)
• 5.5. Silna inwersja poza warunkami progowymi (216)
• 5.6. Charakterystyki pojemnościowo-napięciowe kondensatora MOS (220)
• 5.7. Ładunek tlenku - wpływ na U_fb i U_t (225)
• 5.8. Zubożenie bramki wykonanej z krzemu polikrystalicznego spowodowane wzrostem T_ox 228
• 5.9. Grubość i efekt kwantowo-mechaniczny warstw inwersji i akumulacji (230)
• 5.10. Matryca CCD i CMOS (233)
• 5.11. Podsumowanie rozdziału (240)
• Zadania (243)
• Bibliografia (252)
• Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (252)

6. Tranzystor MOS (253)

• 6.1. Tranzystory MOSFET - wprowadzenie (253)
• 6.2. Struktura komplementarna MOS (technologia CMOS) (254)
• 6.3. Ruchliwości powierzchniowe i układy FET charakteryzujące się dużą mobilnością (260)
• 6.4. Napięcie U_t, efekt podłoża i domieszkowanie tranzystora MOSFET (267)
• 6.5. Parametr Q_inw charakteryzujący tranzystory MOSFET (271)
• 6.6. Podstawowy model prądowo-napięciowy tranzystora MOSFET (272)
• 6.7. Przykładowy układ: inwerter CMOS (276)
• 6.8. Nasycenie prędkości (282)
• 6.9. Model prądowo-napięciowy tranzystora MOSFET uwzględniający nasycenie prędkości (284)
• 6.10. Pasożytnicza rezystancja źródło-dren (289)
• 6.11. Wyciąganie rezystancji szeregowej i efektywnej długości kanału (290)
• 6.12. Przerost prędkości i limit prędkości źródła (293)
• 6.13. Konduktancja wyjściowa (295)
• 6.14. Wydajność przy wysokich częstotliwościach (296)
• 6.15. Zakłócenia tranzystorów MOSFET (299)
• 6.16. SRAM, DRAM i kości pamięci nieulotnej flash (305)
• 6.17. Podsumowanie rozdziału (314)
• Zadania (318)
• Bibliografia (330)
• Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (331)

7. Tranzystory MOSFET w układach scalonych - zmiana skali, prąd upływu i inne zagadnienia (333)

• 7.1. Zmiana skali technologii - zmniejszenie kosztów produkcji, wzrost szybkości, zmniejszenie poboru prądu (334)
• 7.2. Prąd podprogowy - "wyłączony" nie oznacza "zupełnie wyłączony" (338)
• 7.3. Spadek wzmocnienia napięcia U_t - tranzystory MOSFET o krótkich kanałach charakteryzują się większym prądem upływu (342)
• 7.4. Redukcja grubości elektrycznej izolacji bramki i upływ tunelowy (347)
• 7.5. Redukcja parametru W_zub (349)
• 7.6. Płytkie złącze i tranzystory MOSFET z metalowymi źródłami i drenami (352)
• 7.7. Kompromis pomiędzy I_wł i I_wył a opracowywanie projektu pod kątem możliwości produkcji (354)
• 7.8. Tranzystory MOSFET o bardzo cienkich korpusach i wielu bramkach (357)
• 7.9. Konduktancja wyjściowa (362)
• 7.10. Symulacja procesów i komponentów (364)
• 7.11. Kompaktowy model tranzystora MOSFET używany w symulacji pracy obwodu (365)
• 7.12. Podsumowanie rozdziału (366)
• Zadania (368)
• Bibliografia (371)
• Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (372)

8. Tranzystor bipolarny (373)

• 8.1. Wprowadzenie do tranzystorów BJT (374)
• 8.2. Prąd kolektora (376)
• 8.3. Prąd bazy (380)
• 8.4. Wzmocnienie prądowe (381)
• 8.5. Modulacja szerokości bazy napięciem kolektora (386)
• 8.6. Model Ebersa-Molla (389)
• 8.7. Czas opadania i magazynowanie ładunku (392)
• 8.8. Model małosygnałowy (396)
• 8.9. Częstotliwość graniczna (399)
• 8.10. Model sterowany prądem (400)
• 8.11. Model do wielkosygnałowej symulacji pracy obwodu (404)
• 8.12. Podsumowanie rozdziału (406)
• Zadania (408)
• Bibliografia (414)
• Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (414)

Dodatek A

• Wyprowadzenie wzorów na gęstość stanów (415)

Dodatek B

• Wyprowadzenie funkcji rozkładu Fermiego-Diraca (419)

Dodatek C

• Samouzgodnienie założeń dotyczących nośników mniejszościowych (423)
• Odpowiedzi do wybranych zadań (427)

Skorowidz (433)